На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLL024N | IRLL024NPBF | IRLL024NTR | IRLL024NTRPBF | IRLL024Z | IRLL024ZPBF | IRLL024ZTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <1 Вт | ||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 510 пФVds = 25V | 510 пФVds = 25V | 510 пФVds = 25V | 510 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.1 А | <3.1 А | <3.1 А | <3.1 А | <5 А | <5 А | <5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <65 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <60 мОмId, Vgs = 3A, 10V | <60 мОмId, Vgs = 3A, 10V | <60 мОмId, Vgs = 3A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||||
Заряд затвора | QG | 15.6 нCVgs = 5V | 15.6 нCVgs = 5V | 15.6 нCVgs = 5V | 15.6 нCVgs = 5V | 11 нCVgs = 5V | 11 нCVgs = 5V | 11 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||