На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLI530G | IRLI530GPBF | IRLI530N | IRLI530NPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <42 Вт | <42 Вт | <41 Вт | <41 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 930 пФVds = 25V | 930 пФVds = 25V | 800 пФVds = 25V | 800 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <9.7 А | <9.7 А | <12 А | <12 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 5.8A, 5V | <160 мОмId, Vgs = 5.8A, 5V | <100 мОмId, Vgs = 9A. 10V | <100 мОмId, Vgs = 9A. 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 28 нCVgs = 5V | 28 нCVgs = 5V | 34 нCVgs = 5V | 34 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||