На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLD110PBF | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 4-DIP, HVMDIP |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <1.3 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 250 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <540 мОмId, Vgs = 600mA, 5V |
Заряд затвора | QG | 6.1 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |