IRL8113

IRL8113, IRL8113L, IRL8113LPBF, IRL8113PBF, IRL8113S, IRL8113SPBF, IRL8113STRL, IRL8113STRLPBF, IRL8113STRR, IRL8113STRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRL8113LIRL8113LPBFIRL8113PBFIRL8113SIRL8113SPBFIRL8113STRLIRL8113STRLPBFIRL8113STRRIRL8113STRRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<110 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.84 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<105 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<6 мОмId, Vgs = 21A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
35 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate