На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRL7833LPBF | IRL7833PBF | IRL7833S | IRL7833SPBF | IRL7833STRLPBF | IRL7833STRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <140 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.17 нФVds = 15V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <150 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.8 мОмId, Vgs = 38A, 10V | |||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||
Заряд затвора | QG | 47 нCVgs = 4.5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||