IRL640L

IRL640, IRL640A, IRL640L, IRL640PBF, IRL640S, IRL640SPBF, IRL640STRL, IRL640STRR, IRL640STRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRL640AIRL640LIRL640PBFIRL640SIRL640SPBFIRL640STRLIRL640STRRIRL640STRRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<110 Вт<3.1 Вт<125 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.705 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<18 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<180 мОмId, Vgs = 9A, 5V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)HEXFET®
Заряд затвора
QG
56 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate