IRL630A

IRL630, IRL630A, IRL630L, IRL630PBF, IRL630S, IRL630SPBF, IRL630STRL, IRL630STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRL630AIRL630LIRL630PBFIRL630SIRL630SPBFIRL630STRLIRL630STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<69 Вт<3.1 Вт<74 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
755 пФVds = 25V1.1 нФVds = 25V1.1 нФVds = 25V1.1 нФVds = 25V1.1 нФVds = 25V1.1 нФVds = 25V1.1 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<9 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<400 мОмId, Vgs = 4.5A, 5V
Заряд затвора
QG
27 нCVgs = 5V40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate