IRL620PBF

IRL620, IRL620L, IRL620PBF, IRL620S, IRL620SPBF, IRL620STRL, IRL620STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRL620LIRL620PBFIRL620SIRL620SPBFIRL620STRLIRL620STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<3.1 Вт<50 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
360 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<5.2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 5V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
Заряд затвора
QG
16 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate