IRL530

IRL530, IRL530A, IRL530L, IRL530N, IRL530NL, IRL530NLPBF, IRL530NPBF, IRL530NS, IRL530NSPBF, IRL530NSTRL, IRL530NSTRLPBF, IRL530NSTRR, IRL530NSTRRPBF, IRL530PBF, IRL530S, IRL530STRL, IRL530STRR, IRL530STRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRL530AIRL530LIRL530NIRL530NLIRL530NLPBFIRL530NPBFIRL530NSIRL530NSPBFIRL530NSTRLIRL530NSTRLPBFIRL530NSTRRIRL530NSTRRPBFIRL530PBFIRL530SIRL530STRLIRL530STRRIRL530STRRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorVishay/SiliconixInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<62 Вт<3.7 Вт<79 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<79 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<88 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
755 пФVds = 25V930 пФVds = 25V800 пФVds = 25V800 пФVds = 25V800 пФVds = 25V800 пФVds = 25V800 пФVds = 25V800 пФVds = 25V800 пФVds = 25V800 пФVds = 25V800 пФVds = 25V800 пФVds = 25V930 пФVds = 25V930 пФVds = 25V930 пФVds = 25V930 пФVds = 25V930 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<14 А<13 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<15 А<15 А<15 А<15 А<15 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<120 мОмId, Vgs = 7A, 5V<160 мОмId, Vgs = 9A, 5V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<100 мОмId, Vgs = 9A. 10V<160 мОмId, Vgs = 9A, 5V<160 мОмId, Vgs = 9A, 5V<160 мОмId, Vgs = 9A, 5V<160 мОмId, Vgs = 9A, 5V<160 мОмId, Vgs = 9A, 5V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Заряд затвора
QG
24 нCVgs = 5V28 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V34 нCVgs = 5V28 нCVgs = 5V28 нCVgs = 5V28 нCVgs = 5V28 нCVgs = 5V28 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
StandardLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level Gate