IRL520L

IRL520, IRL520L, IRL520LPBF, IRL520N, IRL520NL, IRL520NLPBF, IRL520NPBF, IRL520NS, IRL520NSPBF, IRL520NSTRL, IRL520NSTRLPBF, IRL520NSTRR, IRL520PBF, IRL520S, IRL520STRL, IRL520STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		IRL520L	IRL520LPBF	IRL520N	IRL520NL	IRL520NLPBF	IRL520NPBF	IRL520NS	IRL520NSPBF	IRL520NSTRL	IRL520NSTRLPBF	IRL520NSTRR	IRL520PBF	IRL520S	IRL520STRL	IRL520STRR
Корпус микросхемы	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель	Производитель	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный
Мощность	P	<3.7 Вт	<3.7 Вт	<48 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<48 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<60 Вт	<3.7 Вт	<3.7 Вт	<3.7 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<100 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<9.2 А	<9.2 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<9.2 А	<9.2 А	<9.2 А	<9.2 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<270 мОмId, Vgs = 5.5A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 5.5A, 5V	<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<270 мОмId, Vgs = 5.5A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 5.5A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 5.5A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 5.5A, 5V
Серия MOSFET	Серия	(не задано)	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Заряд затвора	Q_G	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate