IRL3502L

IRL3502, IRL3502L, IRL3502PBF, IRL3502S, IRL3502SPBF, IRL3502STRL, IRL3502STRLPBF, IRL3502STRR, IRL3502STRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRL3502LIRL3502PBFIRL3502SIRL3502SPBFIRL3502STRLIRL3502STRLPBFIRL3502STRRIRL3502STRRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<140 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.7 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<110 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<7 мОмId, Vgs = 64A, 7V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
110 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate