IRL3302L

IRL3302, IRL3302L, IRL3302PBF, IRL3302S, IRL3302SPBF, IRL3302STRL, IRL3302STRLPBF, IRL3302STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRL3302LIRL3302PBFIRL3302SIRL3302SPBFIRL3302STRLIRL3302STRLPBFIRL3302STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<57 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.3 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<39 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<20 мОмId, Vgs = 23A, 7V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
31 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate