На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRL2203N | IRL2203NL | IRL2203NLPBF | IRL2203NPBF | IRL2203NS | IRL2203NSPBF | IRL2203NSTRL | IRL2203NSTRLPBF | IRL2203NSTRR | IRL2203NSTRRPBF | IRL2203S | IRL2203STRL | IRL2203STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <180 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <180 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.5 нФVds = 25V | 3.5 нФVds = 25V | 3.5 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <100 А | <100 А | <100 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <7 мОмId, Vgs = 60A, 10V | ||||||||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||||||||||
Заряд затвора | QG | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 110 нCVgs = 4.5V | 110 нCVgs = 4.5V | 110 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||||||||