IRFZ46L

IRFZ46, IRFZ46L, IRFZ46N, IRFZ46NL, IRFZ46NLPBF, IRFZ46NPBF, IRFZ46NS, IRFZ46NSPBF, IRFZ46NSTRL, IRFZ46NSTRLPBF, IRFZ46NSTRR, IRFZ46NSTRRPBF, IRFZ46Z, IRFZ46ZL, IRFZ46ZLPBF, IRFZ46ZPBF, IRFZ46ZS, IRFZ46ZSPBF, IRFZ46ZSTRLPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFZ46LIRFZ46NIRFZ46NLIRFZ46NLPBFIRFZ46NPBFIRFZ46NSIRFZ46NSPBFIRFZ46NSTRLIRFZ46NSTRLPBFIRFZ46NSTRRIRFZ46NSTRRPBFIRFZ46ZIRFZ46ZLIRFZ46ZLPBFIRFZ46ZPBFIRFZ46ZSIRFZ46ZSPBFIRFZ46ZSTRLPBF
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-220ABD²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/SiliconixInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<3.7 Вт<107 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<107 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<82 Вт<82 Вт<82 Вт<82 Вт<82 Вт<82 Вт<82 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.8 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.696 нФVds = 25V1.46 нФVds = 25V1.46 нФVds = 25V1.46 нФVds = 25V1.46 нФVds = 25V1.46 нФVds = 25V1.46 нФVds = 25V1.46 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<50 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В
Постоянный ток стока
IDSS
<50 А<53 А<53 А<53 А<53 А<53 А<53 А<53 А<53 А<53 А<53 А<51 А<51 А<51 А<51 А<51 А<51 А<51 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<24 мОмId, Vgs = 32A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 28A, 10V<13.6 мОмId, Vgs = 31A, 10V<13.6 мОмId, Vgs = 31A, 10V<13.6 мОмId, Vgs = 31A, 10V<13.6 мОмId, Vgs = 31A, 10V<13.6 мОмId, Vgs = 31A, 10V<13.6 мОмId, Vgs = 31A, 10V<13.6 мОмId, Vgs = 31A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
66 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard