На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFU9120N | IRFU9120NPBF | IRFU9120PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <40 Вт | <40 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <6.6 А | <6.6 А | <5.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||