На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFU4105PBF | IRFU4105Z | IRFU4105ZPBF | IRFU4105ZTR | IRFU4105ZTRL | IRFU4105ZTRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||
Мощность | P | <68 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 700 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <27 А | <30 А | <30 А | <30 А | <30 А | <30 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <45 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||
Заряд затвора | QG | 34 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||