IRFU3711PBF

IRFU3711, IRFU3711PBF, IRFU3711ZPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFU3711PBFIRFU3711ZPBF
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<2.5 Вт<79 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.98 нФVds = 10V2.16 нФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<100 А<93 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<6.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V<5.7 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
44 нCVgs = 4.5V27 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate