На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFU3709PBF | IRFU3709Z-701P | IRFU3709ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <120 Вт | <79 Вт | <79 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.672 нФVds = 16V | 2.33 нФVds = 15V | 2.33 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <90 А | <86 А | <86 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <9 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <6.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <6.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 41 нCVgs = 4.5V | 26 нCVgs = 4.5V | 26 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||