На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFU024N | IRFU024NPBF | IRFU024PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <45 Вт | <45 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 370 пФVds = 25V | 370 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | <55 В | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <17 А | <17 А | <14 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||