На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFSL4410PBF | IRFSL4410ZPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-262 | |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <200 Вт | <230 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.15 нФVds = 50V | 4.82 нФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <88 А | <97 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 58A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |
Заряд затвора | QG | 180 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |