На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFSL31N20D | IRFSL31N20DPBF | IRFSL31N20DTRL | IRFSL31N20DTRR | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-262-3 (Straight Leads) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <3.1 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.37 нФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <31 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <82 мОмId, Vgs = 18A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||
Заряд затвора | QG | 110 нCVgs = 10V | 107 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||