На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFSL23N20D | IRFSL23N20D102P | IRFSL23N20DPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-262-3 (Straight Leads) | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <3.8 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.96 нФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <24 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 14A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 86 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||