На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFS9N60A | IRFS9N60APBF | IRFS9N60ATRL | IRFS9N60ATRLPBF | IRFS9N60ATRR | IRFS9N60ATRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <170 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.4 нФVds = 25V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <9.2 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <750 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | |||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 49 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||