На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFS59N10D | IRFS59N10DPBF | IRFS59N10DTRL | IRFS59N10DTRLP | IRFS59N10DTRR | IRFS59N10DTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <3.8 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.45 нФVds = 25V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <59 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <25 мОмId, Vgs = 35.4A, 10V | |||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||
Заряд затвора | QG | 114 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||