На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFS4410PBF | IRFS4410TRLPBF | IRFS4410ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <200 Вт | <200 Вт | <230 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.15 нФVds = 50V | 5.15 нФVds = 50V | 4.82 нФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <88 А | <88 А | <97 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 58A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 180 нCVgs = 10V | 180 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |