IRFS41N15

IRFS41N15, IRFS41N15D, IRFS41N15DPBF, IRFS41N15DTRL, IRFS41N15DTRLP, IRFS41N15DTRR, IRFS41N15DTRRP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFS41N15DIRFS41N15DPBFIRFS41N15DTRLIRFS41N15DTRLPIRFS41N15DTRRIRFS41N15DTRRP
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<3.1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.52 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<41 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<45 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
110 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard