На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFS3207PBF | IRFS3207TRLPBF | IRFS3207ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <300 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 7.6 нФVds = 50V | 7.6 нФVds = 50V | 6.92 нФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <75 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <170 А | <170 А | <120 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <4.1 мОмId, Vgs = 75A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 260 нCVgs = 10V | 260 нCVgs = 10V | 170 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |