На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFS11N50A | IRFS11N50APBF | IRFS11N50ATRL | IRFS11N50ATRR | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <170 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.423 нФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <11 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <520 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 52 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||