На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR9120N | IRFR9120NCPBF | IRFR9120NPBF | IRFR9120NTR | IRFR9120NTRL | IRFR9120NTRLPBF | IRFR9120NTRPBF | IRFR9120NTRR | IRFR9120NTRRPBF | IRFR9120PBF | IRFR9120TR | IRFR9120TRL | IRFR9120TRLPBF | IRFR9120TRPBF | IRFR9120TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||||||
Мощность | P | <40 Вт | <40 Вт | <40 Вт | <40 Вт | <40 Вт | <40 Вт | <40 Вт | <40 Вт | <40 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||||||||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <6.6 А | <6.6 А | <6.6 А | <6.6 А | <6.6 А | <6.6 А | <6.6 А | <6.6 А | <6.6 А | <5.6 А | <5.6 А | <5.6 А | <5.6 А | <5.6 А | <5.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||||||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||||||||||