На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR9024N | IRFR9024NCPBF | IRFR9024NCTRPBF | IRFR9024NPBF | IRFR9024NTR | IRFR9024NTRL | IRFR9024NTRLPBF | IRFR9024NTRPBF | IRFR9024NTRR | IRFR9024NTRRPBF | IRFR9024PBF | IRFR9024TR | IRFR9024TRL | IRFR9024TRPBF | IRFR9024TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||||||
Мощность | P | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <8.8 А | <8.8 А | <8.8 А | <8.8 А | <8.8 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||||||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 19 нCVgs = 10V | ||||||||||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||||||||||