На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR9014N | IRFR9014NTR | IRFR9014NTRL | IRFR9014NTRR | IRFR9014PBF | IRFR9014TR | IRFR9014TRL | IRFR9014TRPBF | IRFR9014TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||
Мощность | P | <2.5 Вт | ||||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 270 пФVds = 25V | ||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | ||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.1 А | ||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <500 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | ||||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 12 нCVgs = 10V | ||||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||||