На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR9010PBF | IRFR9010TR | IRFR9010TRL | IRFR9010TRPBF | IRFR9010TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <25 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 240 пФVds = 25V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <50 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.3 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <500 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||
Заряд затвора | QG | 9.1 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||