На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR6215CPBF | IRFR6215PBF | IRFR6215TR | IRFR6215TRL | IRFR6215TRLPBF | IRFR6215TRPBF | IRFR6215TRR | IRFR6215TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||
Мощность | P | <110 Вт | |||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 860 пФVds = 25V | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <150 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <13 А | |||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <295 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | |||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||||
Заряд затвора | QG | 66 нCVgs = 10V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||