На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR5505CPBF | IRFR5505CTRLPBF | IRFR5505GTRPBF | IRFR5505PBF | IRFR5505TR | IRFR5505TRL | IRFR5505TRLPBF | IRFR5505TRPBF | IRFR5505TRR | IRFR5505TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||
Мощность | P | <57 Вт | |||||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 650 пФVds = 25V | |||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | |||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <18 А | |||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <110 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V | |||||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||||||
Заряд затвора | QG | 32 нCVgs = 10V | |||||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||||