На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR3706CPBF | IRFR3706CTRLPBF | IRFR3706CTRPBF | IRFR3706CTRRPBF | IRFR3706PBF | IRFR3706TR | IRFR3706TRL | IRFR3706TRLPBF | IRFR3706TRPBF | IRFR3706TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||
Мощность | P | <88 Вт | |||||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.41 нФVds = 10V | |||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <75 А | |||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <9 мОмId, Vgs = 15A, 10V | |||||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||||||
Заряд затвора | QG | 35 нCVgs = 4.5V | |||||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||||