IRFR3504PBF

IRFR3504, IRFR3504PBF, IRFR3504TRLPBF, IRFR3504TRPBF, IRFR3504TRRPBF, IRFR3504Z, IRFR3504ZPBF, IRFR3504ZTR, IRFR3504ZTRL, IRFR3504ZTRLPBF, IRFR3504ZTRPBF, IRFR3504ZTRR, IRFR3504ZTRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		IRFR3504PBF	IRFR3504TRLPBF	IRFR3504TRPBF	IRFR3504TRRPBF	IRFR3504Z	IRFR3504ZPBF	IRFR3504ZTR	IRFR3504ZTRL	IRFR3504ZTRLPBF	IRFR3504ZTRPBF	IRFR3504ZTRR	IRFR3504ZTRRPBF
Корпус микросхемы	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель	Производитель	International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный
Мощность	P	<140 Вт	<140 Вт	<140 Вт	<140 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт	<90 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	2.15 нФVds = 25V	2.15 нФVds = 25V	2.15 нФVds = 25V	2.15 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V	1.51 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<40 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<30 А	<30 А	<30 А	<30 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А	<42 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<9.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<9.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<9.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<9.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V	<9 мОмId, Vgs = 42A, 10V
Серия MOSFET	Серия	HEXFET®
Заряд затвора	Q_G	71 нCVgs = 10V	71 нCVgs = 10V	71 нCVgs = 10V	71 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard