На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR18N15D | IRFR18N15DPBF | IRFR18N15DTR | IRFR18N15DTRL | IRFR18N15DTRLP | IRFR18N15DTRPBF | IRFR18N15DTRR | IRFR18N15DTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||
Мощность | P | <110 Вт | |||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 900 пФVds = 25V | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <150 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <18 А | |||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <125 мОмId, Vgs = 11A, 10V | |||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||||
Заряд затвора | QG | 43 нCVgs = 10V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||