На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR13N20D | IRFR13N20DCPBF | IRFR13N20DCTRLP | IRFR13N20DCTRRP | IRFR13N20DPBF | IRFR13N20DTR | IRFR13N20DTRL | IRFR13N20DTRLP | IRFR13N20DTRPBF | IRFR13N20DTRR | IRFR13N20DTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||
Мощность | P | <110 Вт | ||||||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 830 пФVds = 25V | ||||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | ||||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <13 А | ||||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <235 мОмId, Vgs = 8A, 10V | ||||||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||||||||
Заряд затвора | QG | 38 нCVgs = 10V | ||||||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||||||