На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR13N15D | IRFR13N15DPBF | IRFR13N15DTR | IRFR13N15DTRL | IRFR13N15DTRLP | IRFR13N15DTRPBF | IRFR13N15DTRR | IRFR13N15DTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||
Мощность | P | <86 Вт | |||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 620 пФVds = 25V | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <150 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <14 А | |||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <180 мОмId, Vgs = 8.3A, 10V | |||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||||
Заряд затвора | QG | 29 нCVgs = 10V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||