На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR120ATM | IRFR120N | IRFR120NCPBF | IRFR120NCTRLPBF | IRFR120NPBF | IRFR120NTR | IRFR120NTRL | IRFR120NTRLPBF | IRFR120NTRPBF | IRFR120NTRR | IRFR120NTRRPBF | IRFR120PBF | IRFR120_R4941 | IRFR120TR | IRFR120TRL | IRFR120TRLPBF | IRFR120TRR | IRFR120Z | IRFR120ZPBF | IRFR120ZTR | IRFR120ZTRL | IRFR120ZTRLPBF | IRFR120ZTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||||||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Fairchild Semiconductor | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||||||||||||||
Мощность | P | <2.5 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <2.5 Вт | <50 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <35 Вт | <35 Вт | <35 Вт | <35 Вт | <35 Вт | <35 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 480 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 360 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 360 пФVds = 25V | 360 пФVds = 25V | 360 пФVds = 25V | 360 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||||||||||||||||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <8.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <9.4 А | <7.7 А | <8.4 А | <7.7 А | <7.7 А | <7.7 А | <7.7 А | <8.7 А | <8.7 А | <8.7 А | <8.7 А | <8.7 А | <8.7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||||||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <210 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 5.9A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | <190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V | <190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V | <190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V | <190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V | <190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V | <190 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 22 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||||||||||||||||||