На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFR010PBF | IRFR010TR | IRFR010TRL | IRFR010TRR | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <25 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 250 пФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <50 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <8.2 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||
Заряд затвора | QG | 10 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||