На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFP250N | IRFP250NPBF | IRFP250PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247-3 | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <214 Вт | <214 Вт | <190 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.159 нФVds = 25V | 2.159 нФVds = 25V | 2.8 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <33 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <85 мОмId, Vgs = 18A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | PowerMESH™ |
Заряд затвора | QG | 123 нCVgs = 10V | 123 нCVgs = 10V | 140 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||