На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFL024N | IRFL024NPBF | IRFL024NTR | IRFL024NTRPBF | IRFL024Z | IRFL024ZPBF | IRFL024ZTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <1 Вт | ||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 340 пФVds = 25V | 340 пФVds = 25V | 340 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <2.8 А | <2.8 А | <2.8 А | <2.8 А | <5.1 А | <5.1 А | <5.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | <75 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | <57.5 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <57.5 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <57.5 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||||
Заряд затвора | QG | 18.3 нCVgs = 10V | 18.3 нCVgs = 10V | 18.3 нCVgs = 10V | 18.3 нCVgs = 10V | 14 нCVgs = 10V | 14 нCVgs = 10V | 14 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||