На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFL014N | IRFL014NPBF | IRFL014NTR | IRFL014NTRPBF | IRFL014PBF | IRFL014TR | IRFL014TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <2 Вт | <2 Вт | <2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 190 пФVds = 25V | 190 пФVds = 25V | 190 пФVds = 25V | 190 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <60 В | <60 В | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.9 А | <1.9 А | <1.9 А | <1.9 А | <2.7 А | <2.7 А | <2.7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 11 нCVgs = 10V | ||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||