IRFIZ48GPBF

IRFIZ48, IRFIZ48G, IRFIZ48GPBF, IRFIZ48N, IRFIZ48NPBF, IRFIZ48VPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFIZ48GIRFIZ48GPBFIRFIZ48NIRFIZ48NPBFIRFIZ48VPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Vishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational RectifierInternational RectifierInternational Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<50 Вт<50 Вт<42 Вт<54 Вт<43 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.4 нФVds = 25V2.4 нФVds = 25V1.9 нФVds = 25V1.9 нФVds = 25V1.985 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В<60 В<55 В<55 В<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<37 А<37 А<36 А<40 А<39 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<18 мОмId, Vgs = 22A, 10V<18 мОмId, Vgs = 22A, 10V<16 мОмId, Vgs = 22A, 10V<16 мОмId, Vgs = 22A, 10V<12 мОмId, Vgs = 43A, 10V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)(не задано)HEXFET®HEXFET®HEXFET®
Заряд затвора
QG
110 нCVgs = 10V110 нCVgs = 10V89 нCVgs = 10V89 нCVgs = 10V110 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard