IRFIZ34EPBF

IRFIZ34, IRFIZ34E, IRFIZ34EPBF, IRFIZ34G, IRFIZ34GPBF, IRFIZ34N, IRFIZ34NPBF, IRFIZ34VPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		IRFIZ34E	IRFIZ34EPBF	IRFIZ34G	IRFIZ34GPBF	IRFIZ34N	IRFIZ34NPBF	IRFIZ34VPBF
Корпус микросхемы	Корпус	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB	TO-220-5 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель	Производитель	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Мощность	P	<37 Вт	<37 Вт	<42 Вт	<42 Вт	<37 Вт	<37 Вт	<30 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	700 пФVds = 25V	700 пФVds = 25V	1.2 нФVds = 25V	1.2 нФVds = 25V	700 пФVds = 25V	700 пФVds = 25V	1.12 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<55 В	<55 В	<60 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<21 А	<21 А	<20 А	<20 А	<21 А	<21 А	<20 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<42 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<42 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<50 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<50 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<40 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<40 мОмId, Vgs = 11A, 10V	<28 мОмId, Vgs = 18A, 10V
Серия MOSFET	Серия	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Заряд затвора	Q_G	34 нCVgs = 10V	34 нCVgs = 10V	46 нCVgs = 10V	46 нCVgs = 10V	34 нCVgs = 10V	34 нCVgs = 10V	49 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard