IRFIZ34

IRFIZ34, IRFIZ34E, IRFIZ34EPBF, IRFIZ34G, IRFIZ34GPBF, IRFIZ34N, IRFIZ34NPBF, IRFIZ34VPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFIZ34EIRFIZ34EPBFIRFIZ34GIRFIZ34GPBFIRFIZ34NIRFIZ34NPBFIRFIZ34VPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-5 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
International RectifierInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational RectifierInternational RectifierInternational Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<37 Вт<37 Вт<42 Вт<42 Вт<37 Вт<37 Вт<30 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
700 пФVds = 25V700 пФVds = 25V1.2 нФVds = 25V1.2 нФVds = 25V700 пФVds = 25V700 пФVds = 25V1.12 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В<60 В<60 В<60 В<55 В<55 В<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<21 А<21 А<20 А<20 А<21 А<21 А<20 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<42 мОмId, Vgs = 11A, 10V<42 мОмId, Vgs = 11A, 10V<50 мОмId, Vgs = 12A, 10V<50 мОмId, Vgs = 12A, 10V<40 мОмId, Vgs = 11A, 10V<40 мОмId, Vgs = 11A, 10V<28 мОмId, Vgs = 18A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®HEXFET®(не задано)(не задано)HEXFET®HEXFET®HEXFET®
Заряд затвора
QG
34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V34 нCVgs = 10V49 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard