IRFIZ24E

IRFIZ24, IRFIZ24E, IRFIZ24EPBF, IRFIZ24G, IRFIZ24GPBF, IRFIZ24N, IRFIZ24NPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFIZ24EIRFIZ24EPBFIRFIZ24GIRFIZ24GPBFIRFIZ24NIRFIZ24NPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
International RectifierInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational RectifierInternational Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<29 Вт<29 Вт<37 Вт<37 Вт<29 Вт<29 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
370 пФVds = 25V370 пФVds = 25V640 пФVds = 25V640 пФVds = 25V370 пФVds = 25V370 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В<60 В<60 В<60 В<55 В<55 В
Постоянный ток стока
IDSS
<14 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<71 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V<71 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<70 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V<70 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®HEXFET®(не задано)(не задано)HEXFET®HEXFET®
Заряд затвора
QG
20 нCVgs = 10V20 нCVgs = 10V25 нCVgs = 10V25 нCVgs = 10V20 нCVgs = 10V20 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard