На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFIB7N50A | IRFIB7N50APBF | IRFIB7N50LPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | ||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <60 Вт | <60 Вт | <46 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.423 нФVds = 25V | 1.423 нФVds = 25V | 2.22 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <6.6 А | <6.6 А | <6.8 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <520 мОмId, Vgs = 4A, 10V | <520 мОмId, Vgs = 4A, 10V | <380 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 52 нCVgs = 10V | 52 нCVgs = 10V | 92 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||