На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFIB6N60A | IRFIB6N60APBF | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <60 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.4 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <5.5 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <750 мОмId, Vgs = 3.3A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |
Заряд затвора | QG | 49 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |